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2N7640-GA

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Numero de parte
2N7640-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
TRANS SJT 650V 16A TO276
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
2N7640-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
TRANS SJT 650V 16A TO276
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
-
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16A (Tc) (155°C)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 16A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1534pF @ 35V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-276
Paquete / Caja
TO-276AA

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