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FDMD84100

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Numero de parte
FDMD84100
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDMD84100.pdf
Total:$1.46300
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$1.46300

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Numero de parte
FDMD84100
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
980pF @ 50V
Potencia - max
2.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
Power 3.3x5

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