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FDFME3N311ZT

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Numero de parte
FDFME3N311ZT
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
FDFME3N311ZT
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
75pF @ 15V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquete / Caja
6-UFDFN Exposed Pad

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