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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos IRF7103Q

IRF7103Q

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Numero de parte
IRF7103Q
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF7103Q.pdf
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Numero de parte
IRF7103Q
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
255pF @ 25V
Potencia - max
2.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO

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