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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTF3055-100T1G-IRH1

NTF3055-100T1G-IRH1

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Numero de parte
NTF3055-100T1G-IRH1
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
NFET SOT223 60V 3A 0.100R
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.57998
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$0.57998

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Numero de parte
NTF3055-100T1G-IRH1
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
NFET SOT223 60V 3A 0.100R
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
455pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

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