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RB088T100HZC9

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Numero de parte
RB088T100HZC9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
SCHOTTKY BARRIER DIODE
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
RB088T100HZC9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
SCHOTTKY BARRIER DIODE
Estado de la pieza
Active
Configuración de diodo
1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo
Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
100V
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo)
10A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
870mV @ 5A
Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
8.2ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5µA @ 100V
Temperatura de funcionamiento - Unión
150°C (Max)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FN

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