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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPP50R399CPHKSA1

IPP50R399CPHKSA1

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Numero de parte
IPP50R399CPHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPP50R399CPHKSA1.pdf
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Numero de parte
IPP50R399CPHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
560V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
890pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3

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