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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

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Numero de parte
SI3473CDV-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI3473CDV-T1-E3.pdf
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Numero de parte
SI3473CDV-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 8V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2010pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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