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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPU60R1K5CEAKMA2

IPU60R1K5CEAKMA2

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Numero de parte
IPU60R1K5CEAKMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPU60R1K5CEAKMA2.pdf
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Numero de parte
IPU60R1K5CEAKMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
200pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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