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ALD1101BPAL

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Numero de parte
ALD1101BPAL
Fabricante
Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ALD1101BPAL.pdf
Total:$5.63760
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$5.63760

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Numero de parte
ALD1101BPAL
Fabricante
Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
10.6V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
500mW
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PDIP

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