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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD19537Q3T

CSD19537Q3T

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Numero de parte
CSD19537Q3T
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD19537Q3T.pdf
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Numero de parte
CSD19537Q3T
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
50A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1680pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-VSON (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN

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