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PMDPB42UN,115

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Numero de parte
PMDPB42UN,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
PMDPB42UN,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
185pF @ 10V
Potencia - max
510mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
DFN2020-6

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