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PHM25NQ10T,518

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Numero de parte
PHM25NQ10T,518
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
PHM25NQ10T,518
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26.6nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1800pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HVSON (6x5)
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad

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