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SIB912DK-T1-GE3

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Numero de parte
SIB912DK-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIB912DK-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIB912DK-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
95pF @ 10V
Potencia - max
3.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-75-6L Dual

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