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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RSS065N06FRATB

RSS065N06FRATB

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Numero de parte
RSS065N06FRATB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RSS065N06FRATB.pdf
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Numero de parte
RSS065N06FRATB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
900pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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