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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NDBA180N10BT4H

NDBA180N10BT4H

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Numero de parte
NDBA180N10BT4H
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
NDBA180N10BT4H
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
180A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6950pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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