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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FQAF11N40

FQAF11N40

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Numero de parte
FQAF11N40
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FQAF11N40.pdf
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Numero de parte
FQAF11N40
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
400V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack

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