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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single QS6U24TR

QS6U24TR

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Numero de parte
QS6U24TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
QS6U24TR.pdf
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Numero de parte
QS6U24TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
90pF @ 10V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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