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MD51V65165E-50TAZ0AR

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Numero de parte
MD51V65165E-50TAZ0AR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
MD51V65165E-50TAZ0AR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
DRAM
Tamaño de la memoria
64Mb (4M x 16)
Frecuencia de reloj
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
84ns
Tiempo de acceso
25ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
50-TSOP II

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