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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

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Numero de parte
APT5010B2FLLG
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
APT5010B2FLLG.pdf
Total:$18.45000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$18.45000

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Numero de parte
APT5010B2FLLG
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
46A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4360pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant

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