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NTHS5441PT1G

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Numero de parte
NTHS5441PT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
NTHS5441PT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
710pF @ 5V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead

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