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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RT1A050ZPTR

RT1A050ZPTR

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Numero de parte
RT1A050ZPTR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RT1A050ZPTR.pdf
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Numero de parte
RT1A050ZPTR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2800pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSST
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead

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