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SI7949DP-T1-GE3

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Numero de parte
SI7949DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI7949DP-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI7949DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
1.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual

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