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SIB417EDK-T1-GE3

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Numero de parte
SIB417EDK-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIB417EDK-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIB417EDK-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vgs (Max)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
565pF @ 4V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-75-6L Single
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-75-6L

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