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2N7000-D75Z

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Numero de parte
2N7000-D75Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.08206
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Numero de parte
2N7000-D75Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
50pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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