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SIHU3N50D-GE3

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Numero de parte
SIHU3N50D-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIHU3N50D-GE3.pdf
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Numero de parte
SIHU3N50D-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
175pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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