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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTMS4920NR2G

NTMS4920NR2G

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Numero de parte
NTMS4920NR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.33495
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Numero de parte
NTMS4920NR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
10.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
58.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4068pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
820mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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