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NVTFS5811NLWFTWG

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Numero de parte
NVTFS5811NLWFTWG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
NVTFS5811NLWFTWG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1570pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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