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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

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Numero de parte
SQJ840EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SQJ840EP-T1_GE3.pdf
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Numero de parte
SQJ840EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1900pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8

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