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W949D6DBHX5E

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Numero de parte
W949D6DBHX5E
Fabricante
Winbond Electronics
Descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
W949D6DBHX5E.pdf
Total:$3.01971
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(En dólares estadounidenses)
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$3.01971

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Numero de parte
W949D6DBHX5E
Fabricante
Winbond Electronics
Descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - Mobile LPDDR
Tamaño de la memoria
512Mb (32M x 16)
Frecuencia de reloj
200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
15ns
Tiempo de acceso
5ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
60-VFBGA (8x9)

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