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NTD60N03T4

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Numero de parte
NTD60N03T4
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NTD60N03T4.pdf
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Numero de parte
NTD60N03T4
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
28V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2150pF @ 24V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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