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SKI10123

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Numero de parte
SKI10123
Fabricante
Sanken Electric Co., Ltd.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SKI10123.pdf
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Numero de parte
SKI10123
Fabricante
Sanken Electric Co., Ltd.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
66A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.6 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
88.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6420pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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