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IRFD9210PBF

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Numero de parte
IRFD9210PBF
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFD9210PBF.pdf
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Numero de parte
IRFD9210PBF
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
400mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
170pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)

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