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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FCB20N60F-F085

FCB20N60F-F085

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Numero de parte
FCB20N60F-F085
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
FCB20N60F-F085
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2035pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
405W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AB
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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