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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single STI10N62K3

STI10N62K3

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Numero de parte
STI10N62K3
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
STI10N62K3.pdf
Total:$2.39000
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$2.39000

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Numero de parte
STI10N62K3
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
620V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1250pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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