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DMN2011UFDF-7

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Numero de parte
DMN2011UFDF-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN2011UFDF-7.pdf
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Numero de parte
DMN2011UFDF-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
14.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2248pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad

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