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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TK4A60D(STA4,Q,M)

TK4A60D(STA4,Q,M)

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Numero de parte
TK4A60D(STA4,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
TK4A60D(STA4,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
600pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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