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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

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Numero de parte
IPB60R099C6ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB60R099C6ATMA1.pdf
Total:$3.41095
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Numero de parte
IPB60R099C6ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
37.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.21mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
119nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2660pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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