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NVMFD5C650NLWFT1G

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Numero de parte
NVMFD5C650NLWFT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$1.20135
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$1.20135

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Numero de parte
NVMFD5C650NLWFT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 98µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2546pF @ 25V
Potencia - max
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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