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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

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Numero de parte
R6035ENZ1C9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
R6035ENZ1C9.pdf
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$5.63000

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Numero de parte
R6035ENZ1C9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2720pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3

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