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HGT1S10N120BNST

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Numero de parte
HGT1S10N120BNST
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
HGT1S10N120BNST.pdf
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Numero de parte
HGT1S10N120BNST
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Estado de la pieza
Active
Tipo IGBT
NPT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
35A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)
80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Potencia - max
298W
Energía de conmutación
320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada
Standard
Carga de la puerta
100nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C
23ns/165ns
Condición de prueba
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AB

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