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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single LND250K1-G

LND250K1-G

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Numero de parte
LND250K1-G
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.28840
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Numero de parte
LND250K1-G
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
13mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
10pF @ 25V
Característica FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (max)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23 (TO-236AB)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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