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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTJS3157NT2G

NTJS3157NT2G

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Numero de parte
NTJS3157NT2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
NTJS3157NT2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
500pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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